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SiA432DJ
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
24
18
V GS = 10 thru 4 V
5
4
3
T C = 25 °C
12
6
V GS = 3 V
2
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.030
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
800
0.025
0.020
0.015
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
400
200
C oss
0.010
0
C rss
0
6
12 18
24
30
0
6
12
18
24
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
1.7
I D = 5 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
V DS = 7.5 V
1.5
6
4
2
0
V DS = 22.5 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V, 10 V
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
S14-0179-Rev. C, 10-Feb-14
3
Document Number: 68697
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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